In der Fertigungshalle stellt die thermische Drift während des Weichbrennvorgangs oder des Härtebrennvorgangs nicht nur ein Problem bezüglich der Linienbreite dar. Sie beeinträchtigt außerdem erheblich die Qualität und Wiederholgenauigkeit der Prozesse. Wenn der Ofen die eingestellte Temperatur nicht über die gesamte Fläche des Wafers aufrechterhalten kann, verschieben sich die Profile des Photoresists – dadurch entstehen Unregelmäßigkeiten beim Etch-Vorgang. Dadurch wird Energie für Korrekturen verschwendet, anstatt dass die Prozesse unter Kontrolle bleiben.
Was wirklich benötigt wird, ist eine Kontrolle, die messbar und zuverlässig ist. Wir haben unsere Ultrapräzisions-Thermalplattform so konzipiert, dass eine Homogenität von ±0,1 °C über den gesamten Prozessablauf gewährleistet wird. Die NIR-Heizung in Kombination mit speziell entwickelten Quarzkomponenten sorgt für eine schnelle und gleichmäßige Erwärmung des Photoresists – ohne Hotspots oder kühle Stellen.
Die Plattform ist für den Einsatz in Reinräumen der Klasse 1–100 geeignet. Zudem wird durch kontinuierliche Überwachung sichergestellt, dass keine Partikel entstehen. Die Wiederholgenauigkeit wird durch geschlossene Regelkreise gewährleistet – dadurch entsprechen alle Prozesse dem vorherigen Ergebnis, Lot für Lot.
Der Vorteil ist, dass so thermische Schwankungen als Fehlerquelle beseitigt werden. Dadurch wird eine genauere Kontrolle der kritischen Abmessungen erreicht, es kommt weniger zu Nacharbeiten, und die Leistungsfähigkeit der Lithografie bleibt auch bei fortgeschrittenen Prozessschritten stabil.
Die Heizung ist direkt und effizient – dadurch sinkt der Energieverbrauch. Zudem bleibt die Betriebszeit hoch, da die Komponenten für einen 24/7-Betrieb ausgelegt sind. Das Ergebnis sind vorhersehbare Prozesszeiten sowie weniger Ausfälle beim Etch- und Entwicklungsprozess.
Ein praktischer Hinweis: NIR-Systeme erfordern eine sorgfältige Ausrichtung sowie eine passende Emissivität des Wafers. Es wird daher eine kurze Einstellzeit benötigt, um die Absorptions- und Temperaturprofile für den jeweiligen Photoresist und das Substrat anzupassen. Sobald alles eingestellt ist, bleibt der Prozess konstant.