Nelle linee di produzione, la deriva termica durante le fasi di cottura non rappresenta soltanto un problema legato alla larghezza delle linee tracciate sulle wafer. In realtà, questa deriva compromette sia la qualità dei prodotti ottenuti che la loro ripetibilità. Quando il forno non riesce a mantenere una temperatura costante su tutta la superficie della wafer, i profili del fotorestistano vengono alterati, e ciò influisce negativamente sul processo di incisione. Inoltre, l’energia disponibile viene spesa per correggere questi problemi, invece che per mantenere il controllo del processo stesso.
Quello di cui si ha realmente bisogno è un sistema di controllo preciso e affidabile. Abbiamo sviluppato una piattaforma termica ad altissima precisione, capace di garantire una uniformità della temperatura entro ±0,1°C su tutta la superficie della wafer, durante tutto il processo di produzione. Il riscaldamento tramite radiazioni NIR, abbinato a componenti in quarzo progettati appositamente, permette un riscaldamento rapido e uniforme del fotorestistano, senza zone calde o fredde.
Questa tecnologia è progettata per funzionare in ambienti puliti di classe 1–100; inoltre, verifichiamo l’assenza di particelle presenti nell’ambiente grazie a sistemi di monitoraggio in tempo reale. La ripetibilità del processo è garantita grazie a una calibrazione a circuito chiuso, così che ogni ciclo di cottura risulti identico al precedente, lotto dopo lotto.
In pratica, questo sistema elimina la variabilità termica come fattore di guasto. Si ottiene così un controllo più preciso delle dimensioni critiche delle wafer, meno lavorazioni di ritocco e prestazioni stabili anche nei processi più complessi.
Il riscaldamento avviene in modo diretto ed efficiente, quindi l’utilizzo di energia diminuisce. Inoltre, i componenti sono progettati per funzionare 24/7, il che riduce i tempi di fermo non pianificati. Il risultato sono tempi di ciclo prevedibili e minori variazioni durante i processi di incisione e sviluppo.
Un’ultima nota pratica: i sistemi a radiazioni NIR richiedono una precisa allineamento tra le componenti e la wafer. È necessario quindi un breve periodo di configurazione per impostare correttamente i parametri legati all’assorbimento della luce e alla temperatura, in base al tipo specifico di fotorestistano e di substrato utilizzato. Una volta impostati correttamente, i parametri rimangono costanti durante tutto il processo.