Infraroodlamp voor het drogen van siliciumwafels

Fri, 19 Jun 2026 02:05:11 +0800

Op het oppervlak van de siliciumwafer is al een verschuiving van een halve graad tijdens het drogen voldoende om de kritieke afmetingen te verstoren en defecten in de fotorezyst te veroorzaken. Er is dus behoefte aan hitte die precies overeenkomt met de vereisten die zijn vastgelegd in het procesbeschrijving. Dat is ook waar deze infraroodlampen voor worden gebruikt.

Wat technisch gezien belangrijk is: We maken gebruik van kortgolvige infraroodemitters met een snelle opwarmtijd en nauwkeurige spectraalkontrol. Hierdoor vindt er snel thermische overdracht plaats, zonder dat de temperatuur te hoog wordt. In de verlichte zone blijft de uniformiteit van het waferoppervlak binnen ±0,1°C. De herhaalbaarheid wordt gewaarborgd door pyrometrie recht na de lamp. Het hele systeem is geschikt voor gebruik in steriele omgevingen, van klasse 1 tot klasse 100. De materialen en de constructie van het apparaat zorgen ervoor dat er minimale hoeveelheden deeltjes worden gegenereerd. In de praktijk hebben deze apparaten al meer dan 5.000 uur gewerkt, zonder dat de prestaties onder de 5% dalen. Dat is een betrouwbare levensduur.

Silicium on Eco-Friendly Infrared Heating

Infraroodlamp voor het drogen van siliciumwafels