Op het oppervlak van de siliciumwafer is al een verschuiving van een halve graad tijdens het drogen voldoende om de kritieke afmetingen te verstoren en defecten in de fotorezyst te veroorzaken. Er is dus behoefte aan hitte die precies overeenkomt met de vereisten die zijn vastgelegd in het procesbeschrijving. Dat is ook waar deze infraroodlampen voor worden gebruikt.
Wat technisch gezien belangrijk is: We maken gebruik van kortgolvige infraroodemitters met een snelle opwarmtijd en nauwkeurige spectraalkontrol. Hierdoor vindt er snel thermische overdracht plaats, zonder dat de temperatuur te hoog wordt. In de verlichte zone blijft de uniformiteit van het waferoppervlak binnen ±0,1°C. De herhaalbaarheid wordt gewaarborgd door pyrometrie recht na de lamp. Het hele systeem is geschikt voor gebruik in steriele omgevingen, van klasse 1 tot klasse 100. De materialen en de constructie van het apparaat zorgen ervoor dat er minimale hoeveelheden deeltjes worden gegenereerd. In de praktijk hebben deze apparaten al meer dan 5.000 uur gewerkt, zonder dat de prestaties onder de 5% dalen. Dat is een betrouwbare levensduur.
Waarom het systeem werkt in echte productieprocessen: Bij het drogen van waferën en het verwijderen van vocht na het reinigen, zorgen de infraroodlampen ervoor dat de waferën sneller drogen, zonder dat er problemen ontstaan met het patroon of de randen van de wafer. Bovendien zorgen deze lampen voor een goede temperatuurregeling tijdens het proces, waardoor de controle over de dikte van de lijnen verbetert en er minder productieproblemen zijn. Hierdoor wordt er minder afval geproduceerd, bespaart er energie door efficiënte straling, en is er minder onderhoud nodig. Het ontwerp voldoet aan de internationale standaarden voor半導体apparatuur en biedt een betrouwbare alternatief voor bestaande systemen.
Wat je moet meenemen in de planning: Voor de installatie is het belangrijk om rekening te houden met de thermische afstanden en de luchtcirculatie. De lamp moet op de juiste afstand worden geplaatst en goed uitgericht ten opzichte van het waferoppervlak. Anders raakt de gewenste uniformiteit verstoord. Mogelijk is het nodig om bescherming te gebruiken of de aansluitingen aan te passen, zodat er geen elektromagnetische interferentie optreedt. Plan eerst een korte testperiode in, zodat je de temperatuurprofielen kunt meten en de instellingen kunt vaststellen.