300 mm hatlarında, yapıştırıcının kuruma süreci sadece bir ısı işlemi değildir; bu aynı zamanda boyutsal bir kısıtlamadır. Birkaç derecelik bir sapma bile fotoresist tabakasının konumunu değiştirir ve böylece retikel wafla temas etmeden önce verimlilik düşer. İşte bu yüzden yarı iletkenler için kızılötesi ışınları kullanıyoruz; böylece değişkenlikleri ortadan kaldırabiliyoruz.
Önemli olan şeyler
Yapıştırıcı ve fotoresist katmanlarına hızlı ve etkili ısı sağlamak için yakın kızılötesi ışınlar kullanılır. Böylece wafların sıcaklık değerleri ±0,1°C aralığında sabit kalır; bu ölçüm film arayüzünde yapılır, ısıtıcı yüzeyinde değil. Bu cihaz temiz odalarda çalışır; Class 1–100 standardına uygun olarak çalışır, hiçbir parçacık üretmez ve yerinde parçacık izleme ile kontrol edilir. Hassas ısı kontrolü sayesinde tekrarlanabilir işlemler gerçekleştirilebilir ve yüksek kapasiteli hatlarda 7/24 kesintisiz çalışır.
Neden bu yöntem uygundur?
Litografide ve bağlama işlemlerinde, ısının gerektiği yerde olması gerekir; yani filmin içinde, taşıyıcıda değil. Yakın kızılötesi ışınlar enerjiyi doğrudan ve hedefe yönelik şekilde iletir; bu da döngü süresini kısaltırken kritik boyutların bozulmasını engeller. Yüksek düzeydeki sıcaklık homojenliği, kenar bölgelerindeki cihazların standartlara uygun kalmasını sağlar ve atık miktarını azaltır. Enerji tüketimi de azalır; çünkü ısı doğrudan emilir, odanın kütlesine yayılmaz. Ayrıca tekrarlanabilirlik sayesinde kalite kontrolü daha kolay hale gelir ve yeniden işleme ihtiyacı azalır.
Gerçekler
Yakın kızılötesi ışınlar için wafların arka yüzeyinde doğrudan görüş mesafesi ve kontrol edilebilir emisivite gereklidir. Eğer taşıyıcı yansıtıcı veya desenliyse, enerji dağılır ve profil değişir. Termal profilin belirli yapıştırıcı ve substrat yapılarıyla uyumlu hale gelmesi için kısa bir entegrasyon süresi gerekir. Bir kez ayarlandığında, işlem daha stabil hale gelir ve termal değişikliklerden kaynaklanan sorunlar ortadan kalkar.