팹에서는 소프트 베이크나 하드 베이크 과정 중에 발생하는 열 변동이 단순히 선의 굵기 문제에 그치지 않습니다. 이러한 열 변동은 제품의 수율과 재현성을 저하시킵니다. 오븐이 웨이퍼 전체에 걸쳐 일정한 온도를 유지할 수 없으면, 포토레지스트의 상태가 변하고, 에칭 과정도 영향을 받게 됩니다. 그 결과, 열 관리에 드는 노력이 복구 작업에 쓰이게 되어서 효율적인 열 관리가 어려워집니다.
실제로 필요한 것은 측정 가능하고 신뢰할 수 있는 열 제어 시스템입니다. 저희는 전체 공정 과정에서 웨이퍼 전체에 걸쳐 ±0.1°C 이내의 일관된 온도를 유지할 수 있는 초정밀 열 제어 시스템을 개발했습니다. NIR 방식의 열처리와 함께 설계된 석영 부품들 덕분에, 포토레지스트가 빠르고 균일하게 가열되며, 과열이나 온도 불균형이 발생하지 않습니다.
이 시스템은 클래스 1–100 등급의 청정실 환경에서도 사용할 수 있으며, 현장 모니터링을 통해 입자 발생이 전혀 없음을 확인할 수 있습니다. 클로즈드-루프 보정을 통해 재현성을 보장하기 때문에, 매번의 소프트 베이크와 하드 베이크 결과가 일정합니다.
결국, 이 시스템은 열 변동으로 인한 문제를 해결해줍니다. 그 결과, 더 정확한 치수 제어가 가능해지고, 재작업도 줄어들며, 고도화된 공정에서도 안정적인 리소그래피 성능을 유지할 수 있습니다.
또한, 직접적이고 효율적인 가열 방식 덕분에 에너지 소비도 줄어듭니다. 구성 요소들이 24/7 연속 작동할 수 있도록 설계되어 있어, 계획되지 않은 정지 시간도 줄어듭니다. 그 결과, 예측 가능한 공정 속도와 안정적인 에칭 및 개발 공정이 가능해집니다.
한 가지 주의할 점은, NIR 시스템의 경우 웨이퍼 스택과의 정확한 정렬 및 발광 특성 조절이 필요하다는 것입니다. 특정 포토레지스트와 기판 조합에 맞게 흡수율과 온도 프로파일을 조정하는 데에는 다소 시간이 걸립니다. 일단 설정이 완료되면, 공정은 안정적으로 유지됩니다.